Examen PAC 1 Sistemes Electronics (2012)

Apunte Español
Universidad Universidad Politécnica de Cataluña (UPC)
Grado Ingeniería Química - 2º curso
Asignatura Sistemes Electronics
Año del apunte 2012
Páginas 6
Fecha de subida 16/06/2014
Descargas 11

Vista previa del texto

ESCOLA UNIVERSITARIA D'ENGINYERIA TÉCNICA INDUSTRIAL DE BARCELONA Professor: Javier García Álvarez COGNOMS, Nom: o ¡L SISTEMES ELECTRONICS PAC1. Curs 2009-2010 (Tardor) Grup T8 4 d'octubre de 2010 Qualificació: l<jg3aUa Considereu el circuit de la figura on E2=2 V, R1=R2=R3=100Q.
En relació a aquest circuit, doneu resposta a les dues qüestions següents.
1.- Calculeu el valor del corrent ¡3.
2.- Calculeu el valor de la tensió u3.
E1=3-u ,n OR « 7? \oo u 3 = -Air (2) Considereu el circuit de la figura on E1=10V, E2=2 V, E3=3 V, R1=R2=100Q, i els diodes es consideren amb una tensio llindar de Vy= 0,7 V.
D1 En relació a aquest circuit, doneu resposta a les tres qüestions següents.
E1 3.- Calculeu el valor del corren! pels diodes D1 i D2.
4.- Calculeu el valor de la tensio en els diodes D1 i D2.
5.- Indica l'estat (ON/OFF) deis diodes D1 i D2.
,) \2 -=£> O - R2 R1 E3 IAK-I =43cí/»AlAK2 = 76 /» A (3) vAKi = crfirvAK2=c>1Tvr' D1 = CW D2 =¿>AJ (4) (5) Considereu el circuit de la figura on E = 5 V ¡ R 1 = 1 0 k Q ¡ R2 = 1 kQ, i la tensió llindar en el díode es Vy = 0,7 V.
En relació a aquest circuit, doneu resposta a les dues qüestions següents.
I 6.- Calculeu el valor de la tensió en el díode UD.
7.- Calculeu el valor del corrent peí díode iD.
(T) U OPF (6) ¡D= OA (7) Considereu el circuit de la figura on E^= 1,5V, E2= 5 V , R!= 40 kQ, R2= 2 kQ, R^tínf^ i T un transistor en que (3= 75, UBE= 0,7 V i UCEsat= 0,2 V.
En relació a aquest circuit, doneu resposta a les tres qüestions següents.
8.- Calculeu el valor del corrent per la base IB.
9.- Calculeu el valor del corrent peí col-lector lc.
10.- Calculeu el valor de la tensió col-lector-emissor UCE- ÍZ- 11.- Indiqueu les condicions que ha de complir un transistor bipolar per qué treballi en régim lineal o en régim de saturado.
TflT JllI 12.- Dibuixeu els circuits o models equivalents del transistor per ais estáis de tall, saturado i activa.
c - \-c } f> -t- <^B j; U/ orí 1¿r ^ (12) Per acabar, i a efectes estadístics, faciliteu-nos la següent informació. Grácies.
Facilitat aparent de resolució (%) Temps dedicat a preparar aquesta prova (hh:mm) «Z *3l/£ •V.
^ CL U ...



Comentario de kwabbyamofa en 2018-01-15 09:31:01