Transistores (2013)

Apunte Español
Universidad Universidad Politécnica de Cataluña (UPC)
Grado Ingeniería de Sistemas Audiovisuales - 1º curso
Asignatura FE
Año del apunte 2013
Páginas 21
Fecha de subida 18/05/2014
Descargas 4
Subido por

Vista previa del texto

Transistors Introducció al seu funcionament TRTs: 3 terminals • 1 terminal de control • Regulació del corrent que passa pels altres dos terminals I O (t )  f I I (t )  BJT I O (t )  f VI (t )  FET Comportament Ideal • Font corrent controlada • ELEMENTS PASSIUS!! BJT • Font corrent controlat per corrent • Simbol, estructura i definició de tensions/corrents: BJT • Els dopats no són iguals… BJT • BE: Directa!. BC: Inversa BJT • KCL es verifica BJT Característica Sortida Característica Entrada Equacions BJT en activa • KCL iE (t )  iC (t )  iB (t ) • Relació lineal entre corrents basecol.lector ll t iC (t )    iB (t ) • VBE = Vγ del diode BJT Model Lineal Les dues unions estan en directa.
Models BJT TALL SATURACIO ACTIVA U ió B Unió B-E E IInversa BEiB B-E B-C C DIRECTA B-E Directa B-C Inversa Ic < β β·IIB FET - MOS • MOS Metall Oxid Semiconductor Physical structure Symbol (VB=tied to S): Polisilicon Gate D/S Contact Gate (G) S/D C t t Contact n+ difussion W n+ Source (S) Drain (D) n+ L p SiO2 Insulator.
Bulk (Si) Bulk contact • S/D? Drain is the contact at higher voltage.
• Gate Area = WL.
• Small Dimensions, L  32 nm.
MOS • • • • VGS > 0 ID = 0 ((circuit obert)) Camp electrostàtic Atracció electrons sota la porta MOS • VGS > Vt • Canal Format • Acumulació d’electrons d electrons sota la porta.
MOS • Pot circular corrent entre D I S MOS • VD Augmenta… passa al • Que li p Canal? • Comportament regió ohmica.
MOS • VD augmenta fins… VGD < Vt • Estrangulació canal • ID independent de VDS • Saturació Característiques sortida MOS ID = + 0 si VGSVT K [(VGS- VT) VDS - V2DS/2] si VGS>VT i VDS VGS -VT (òhmica) K ((VGS - VT)2 /2 si VGS>VT i VDS VGS -VT (saturació) (off) VGS - ID VDS + VDS = VGS - VT VGS4 ID òhmica () saturació (SAT) VGS3 VT < VGS1 < ... < VGS4 VT > 0 • ID  K = KK' (W / L) • ID > 0  VDS > 0 VGS2 VGS< VT VGS1 VDS tall (off) K' = valor tecnològic Característiques de sortida MOS • No hi ha relació lineal entre VGS i ID K 2 iD   vGS  VT  2 W  K   K N L Models MOS • Tall, Ohmica I Saturació iD  K 2  vGS  VT  2 Disseny Amplificadors • Voldrem – Bipolar p ACTIVA – MOS SATURACIÓ • Punt P t Treball T b ll – Ecuacions gran senyal • Guany de Amplificador – Model Petit Senyal ...